Процесор AMD Ryzen 5 1600 (3.2GHz 16MB 65W AM4) Box (YD1600BBAEBOX)

Особливості мікроархітектури Zen У новій архітектурі AMD Zen використовується потужний механізм виконання, а також підтримується функція одночасної багатопоточності (SMT). Ядра Zen розроблені для ефективного використання наявних ресурсів мікроархітектури для забезпечення максимальної обчислювальної продуктивності. Нова трирівнева кеш-пам'ять з низькою затримкою і нові алгоритми попередньої вибірки значно зменшують кількість кеш-промахів і збільшують пропускну здатність у порівнянні з попередньою мікроархітектури. Продуктивність і ефективність для додатків наступного покоління Хмарні обчислення, продуктивність промислового рівня, технології віртуальної реальності, ігри і безпеку даних відкривають нові горизонти і вимагають більш високого рівня продуктивності обчислень при максимальній енергоефективності. Спочатку інженери компанії AMD розробили нову архітектуру Zen таким чином, щоб вона могла відповідати і навіть перевершувати високі вимоги, що стосуються продуктивності і ефективності, не тільки додатків наступного, а й подальших поколінь. Технологія Neural Net Prediction Вбудований штучний інтелект дозволяє процесору ефективніше справлятися з виконанням ваших додатків. Технологія Smart Prefetch Алгоритми навчання, які заздалегідь передбачають і предзагружают в кеш-пам'ять необхідні ПО дані для прискорення обчислень і мінімізації часу відгуку. Технологія Extended Frequency Range Автоматичне додаткове підвищення продуктивності для користувачів ігрових ПК з системами охолодження преміум-класу. Технологія Precision Boost Продуктивність процесора регулюється в режимі реального часу для відповідності вимогам навантаження ваших ігор і додатків. Технологія Pure Power Робота процесора без зайвого тепловиділення забезпечується за допомогою штучного інтелекту, вбудованих датчиків і оптимізованого дизайну мікросхеми. Особливості: Частота 3.2 / 3.6 ГГц 16 МБ загальної кеш-пам'яті третього рівня Велика уніфікована кеш-пам'яті другого рівня Кеш декодованих інструкцій Високоефективні FinFET-транзистори